電荷屏蔽與恒星內(nèi)部β衰變

針對(duì)低能反應(yīng)和Gamow-Te11er共振躍遷,分析了在恒星內(nèi)部電荷屏蔽對(duì)β衰變率的影響,對(duì)共振躍遷的分析是基于核的殼層模型.作為例子,詳細(xì)計(jì)算了電荷屏蔽對(duì)56Cr的β衰變的影響.結(jié)果表明:在較低溫度和高密度下,電荷屏蔽使β衰變率有明顯地增加.這對(duì)恒星晚期演化和超新星爆發(fā)研究可能會(huì)有重要的影響.

作 者： 孫慶強(qiáng) 黃增光 樸紅光 羅志全 SUN Qing-qiang HUANG Zeng-guang PIAO Hong-guang LUO Zhi-quan   作者單位： 孫慶強(qiáng),黃增光,樸紅光,SUN Qing-qiang,HUANG Zeng-guang,PIAO Hong-guang(淮海工學(xué)院數(shù)理科學(xué)系,連云港,222005)

羅志全,LUO Zhi-quan(西華師范大學(xué)物理與電子信息學(xué)院,南充,637002) 

刊 名： 天文學(xué)報(bào)  ISTIC PKU 英文刊名： ACTA ASTRONOMICA SINICA  年，卷(期)： 2007 48(1)  分類(lèi)號(hào)： P148  關(guān)鍵詞： 基本粒子   中微子   核合成   恒星演化  

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