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新型聲表面波器件中氧化鋅薄膜的研制
本文采用直流磁控反應(yīng)濺射法,在單晶Si(110),Al/Si,Diamond/Si三種襯底上分別生長(zhǎng)出了高度c軸取向的ZnO薄膜.此薄膜具有高質(zhì)量的納米級(jí)結(jié)晶度(10nm～30nm),良好的表面平整度(低于10nm),高于107Ω·cm的電阻率及較高的應(yīng)力承載性,很好的滿足了薄膜聲表面波(SAW)器件制備及降低損耗的需要.通過改變工作氣壓,氬氧比等工藝參數(shù),較系統(tǒng)地探索了ZnO薄膜的制備條件.采用多種分析手段,如X射線衍射(XRD),掃描電鏡(SEM),高能反射式電子衍射(RHEED),原子力顯微鏡(AFM)等對(duì)薄膜的微觀結(jié)構(gòu)及結(jié)晶品質(zhì)進(jìn)行了測(cè)試分析,并對(duì)薄膜的電學(xué)性能及機(jī)械性能進(jìn)行了考察.
作 者： 作者單位： 刊 名： 真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào) ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY 年，卷(期)： 2004 24(z1) 分類號(hào)： O429 TN65 關(guān)鍵詞： ZnO薄膜 c軸取向 聲表面波【新型聲表面波器件中氧化鋅薄膜的研制】相關(guān)文章：
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