正電子深能級(jí)瞬態(tài)譜在GaAs缺陷研究中的應(yīng)用

本文介紹的正電子深能級(jí)瞬態(tài)譜(PDLTS)技術(shù)是結(jié)合了對(duì)固體缺陷有很高靈敏度的正電子湮沒譜(PAS)和一些深能級(jí)瞬態(tài)譜(DLTS)技術(shù)而成新的實(shí)驗(yàn)方法.該技術(shù)能用來研究Ⅲ～Ⅴ,Ⅱ～Ⅵ族等半導(dǎo)體材料的缺陷特征,它的優(yōu)點(diǎn)不僅能研究半導(dǎo)體材料中缺陷的電學(xué)特征而且還能夠同時(shí)揭示這些電活性缺陷的微觀結(jié)構(gòu)信息.本文將介紹砷化鎵中EL2缺陷能級(jí)的PDLTS研究,運(yùn)用該技術(shù)并結(jié)合深能級(jí)Arrhenius分析,得到EL2能級(jí)值為0.82±0.02 eV.

作 者： 張英杰 鄧愛紅 幸浩洋 龍娟娟 喻菁 于鑫翔 程祥 ZHANG Ying-Jie DENG Ai-Hong XING Hao-Yang LONG Juan-Juan YU Jing YU Xing-Xiang GHENG Xiang   作者單位： 四川大學(xué)物理學(xué)院應(yīng)用物理系,成都,610065  刊 名： 四川大學(xué)學(xué)報(bào)（自然科學(xué)版）  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF SICHUAN UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)  年，卷(期)： 2008 45(3)  分類號(hào)： O571.23 O472  關(guān)鍵詞： 正電子   半導(dǎo)體   深能級(jí)瞬態(tài)譜(DLTS)   正電子深能級(jí)瞬態(tài)譜(PDLTS)  

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