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超晶格量子阱的溝道效應(yīng)與光學(xué)雙穩(wěn)態(tài)效應(yīng)
構(gòu)造了一種高階非線性"拋物線"量子阱,并提出了一種獲得光學(xué)雙穩(wěn)態(tài)的新概念.指出了只需在超晶格量子阱的兩端加上一個(gè)直流電場(chǎng)和交變電場(chǎng),便可用它作為光學(xué)雙穩(wěn)態(tài)器件.引入高階非線性"拋物線"勢(shì),并考慮到粒子運(yùn)動(dòng)阻尼和外場(chǎng)作用,在經(jīng)典力學(xué)框架內(nèi)和弱偏置下,粒子運(yùn)動(dòng)方程化為了具有硬彈簧特性的Duffing方程.用攝動(dòng)法找到了系統(tǒng)的近似解,并分析了共振線附近粒子的運(yùn)動(dòng)行為與系統(tǒng)的穩(wěn)定性.結(jié)果表明,粒子的振幅平方與外場(chǎng)振幅平方的關(guān)系曲線出現(xiàn)了后彎現(xiàn)象,正是這個(gè)后彎現(xiàn)象決定了系統(tǒng)存在雙穩(wěn)態(tài),也正是這個(gè)雙穩(wěn)態(tài)決定了具有四階非線性拋物線勢(shì)阱的超晶格量子阱可望作為光子或光電子技術(shù)中新的記憶元件或存儲(chǔ)元件.
作 者： 張梅 羅詩(shī)裕 邵明珠 ZHANG Mei LUO Shi-yu SHAO Ming-zhu 作者單位： 東莞理工學(xué)院,廣東,東莞,523106 刊 名： 半導(dǎo)體光電 ISTIC PKU 英文刊名： SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS 年，卷(期)： 2008 29(3) 分類號(hào)： O471.5 關(guān)鍵詞： 量子阱 拋物線勢(shì) 超晶格 擺方程【超晶格量子阱的溝道效應(yīng)與光學(xué)雙穩(wěn)態(tài)效應(yīng)】相關(guān)文章：
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