基于graphene條帶的硅納米結(jié)構(gòu)

采用分子動力學模擬方法研究了graphene條帶上生長硅納米結(jié)構(gòu)的過程,分析了不同溫度下硅原子在graphene條帶邊滑生成的新型納米結(jié)構(gòu).研究表明,隨機分布的硅原子吸附到鋸齒型graphene條帶邊沿在不同的溫度T下可生成不同類型的硅納米結(jié)構(gòu):300 K≤T＜2000 K時形成無規(guī)則的團簇,2000 K≤T≤2800 K時形成單原子鏈結(jié)構(gòu),2800K＜T＜3900 K時形成含缺陷的硅鏈結(jié)構(gòu),T≥3900 K時硅原子逐漸替代條帶邊沿的碳原子直至graphene條帶破壞.而硅原子吸附糾扶手椅型graphene條帶邊沿在300 K≤T＜3000 K內(nèi)僅能形成非鏈狀的不定型的硅納米結(jié)構(gòu).

作 者： 李愛華 張凱旺 孟利軍 李俊 劉文亮 鐘建新   作者單位： 湘潭大學材料與光電物理學院,湘潭,411105  刊 名： 物理學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2008 57(7)  分類號：   關(guān)鍵詞： graphene   硅   納米結(jié)構(gòu)   分子動力學模擬  

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