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摻銅ZnS納米材料的制備及光學(xué)性質(zhì)
介紹了在聚乙烯醇襯底中利用離子絡(luò)合法制備未摻雜和摻銅的 ZnS納米微粒.TEM圖表明ZnS納米微粒較均勻地分布在PVA襯底上,粒徑在1～10nm,且具有類似體材料的立方結(jié)構(gòu).與未摻雜ZnS相比,摻銅ZnS的紫外-可見吸收光譜沒有明顯的變化;但PL光譜的發(fā)射峰卻從450nm移到了480nm左右,這可能是由于ZnS的導(dǎo)帶和ZnS禁帶中銅的能級T2之間的躍遷造成的.
作 者： 王靈玲 桑文斌 閔嘉華 劉引烽 陳宗高 樊建榮 作者單位： 上海大學(xué)嘉定校區(qū)材料科學(xué)與工程學(xué)院,上海,201800 刊 名： 半導(dǎo)體學(xué)報 ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS 年，卷(期)： 2002 23(5) 分類號： O482.31 關(guān)鍵詞： 納米微粒 摻銅ZnS 透射電鏡 光致發(fā)光【摻銅ZnS納米材料的制備及光學(xué)性質(zhì)】相關(guān)文章：
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