CdSe/HgSe/CdSe量子點量子阱(QDQW)晶粒的光學性質(zhì)和電子結(jié)構(gòu)?

以CdSe納米晶體為核,用膠體化學的方法,通過化學替代反應(yīng),獲得了不同阱層或不同壘層的CdSe/HgSe/CdSe量子點量子阱( QDQW)晶體.紫外-可見光吸收譜研究表明,通過調(diào)節(jié)QDQW中間HgSe阱層的厚度從0.9*!nm至0,可以調(diào)節(jié)QDQW顆粒的帶隙從1.8變化至2.1*!eV,實現(xiàn)QDQW納米晶體的剪裁.光致熒光(PL)譜研究顯示,QDQW形成后,CdSe/HgSe納米顆粒表面態(tài)得到鈍化,顯現(xiàn)出發(fā)光強度加強的帶邊熒光峰.利用有效質(zhì)量近似模型,對QDQW晶粒內(nèi)部電子的1s-1s態(tài)進行了估算,估算結(jié)果總體趨勢與實驗數(shù)據(jù)相符.

作 者： 徐嶺 馬懿 李明海 黃信凡 陳坤基   作者單位： 南京大學物理系,固體微結(jié)構(gòu)物理國家重點實驗室,南京,210093  刊 名： 物理學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2002 51(4)  分類號： O4  關(guān)鍵詞： 量子點量子阱晶體   能帶剪裁   加強的帶邊熒光峰  

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