等離子體增強反應蒸發(fā)沉積的氟摻雜氧化銦薄膜的性質(zhì)

采用直流輝光CF4/O2等離子體增強反應蒸發(fā)方法沉積了氟摻雜氧化銦透明導電薄膜,經(jīng)過真空退火處理薄膜的電阻率達到1.8×10-3Ω·cm,透光率高于80%.研究了摻氟量和退火溫度對薄膜電阻率和透光率的影響,結(jié)果表明:氟的摻入增加了載流子濃度,使得薄膜的電阻率明顯下降,而薄膜的透光率變差,但是可以通過真空退火處理使其得到顯著的改善,摻氟量越大需要的退火溫度越高.X射線衍射分析說明,氟的摻入使薄膜的無序度增加;退火處理提高了薄膜的結(jié)晶狀況,改善了薄膜的透光性能,同時也沒有增加薄膜的電阻率.

作 者： 程珊華 寧兆元 黃峰   作者單位： 蘇州大學物理系,蘇州,215006  刊 名： 物理學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2002 51(3)  分類號： O4  關(guān)鍵詞： 透明導電薄膜   氟摻雜   等離子體增強反應蒸發(fā)沉積  

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