等離子體激勵控制圓柱繞流的影響因素分析

通過等離子體激勵控制圓柱繞流的實(shí)驗(yàn),研究了等離子體電源激勵電壓和等離子激勵器激勵電極數(shù)目對圓柱繞流流動控制效果的影響.研究表明,較高的激勵電壓可以獲得較強(qiáng)的流動擾動,達(dá)到較好的流動控制效果;較多的激勵電極數(shù)目可以激勵較大區(qū)域的邊界層流動,有利于增強(qiáng)流動控制效果.

作 者： 魏灃亭 宋慧敏 李應(yīng)紅 蘇長兵 張樸 WEI Feng-ting SONG Hui-min LI Ying-hong SU Chang-bing ZHANG Pu   作者單位： 空軍工程大學(xué),工程學(xué)院,陜西,西安,710038  刊 名： 空軍工程大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版）  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF AIR FORCE ENGINEERING UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)  年，卷(期)： 2007 8(3)  分類號： V23  關(guān)鍵詞： 等離子體   流動控制   圓柱繞流   電極  

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