電子輻照下聚酰亞胺薄膜的深層充電現(xiàn)象研究

空間輻射環(huán)境下聚合物絕緣材料的深層充放電效應(yīng)是威脅航天器安全的重要因素之一.文章利用能量為5～100keV的單能電子槍,研究了不同束流強(qiáng)度電子輻照下聚酰亞胺薄膜樣品的深層充電過程.實(shí)驗(yàn)表明,在102 pA量級(jí)的電子束輻照下,聚酰亞胺薄膜樣品的表面電位迅速上升后緩慢變化,最終可以達(dá)到幾kV.在一定條件下,樣品表面電位隨著輻照電子束流密度和樣品厚度的增加而增大;充電達(dá)到平衡所需的時(shí)間隨著輻照電子束流密度和樣品厚度的增加而減少.輻照截止后聚酰亞胺薄膜樣品內(nèi)部電荷的泄放需經(jīng)歷較長時(shí)間,由衰減時(shí)間常數(shù)推測出的樣品電阻率要比采用傳統(tǒng)測量方法得到的結(jié)果高一個(gè)量級(jí).

作 者： 張振龍 全榮輝 閆小娟 韓建偉 Zhang Zhenlong Quan Ronghui Yan Xiaojuan Han Jianwei   作者單位： 張振龍,韓建偉,Zhang Zhenlong,Han Jianwei(中國科學(xué)院,空間科學(xué)與應(yīng)用研究中心,北京,100080)

全榮輝,閆小娟,Quan Ronghui,Yan Xiaojuan(中國科學(xué)院,空間科學(xué)與應(yīng)用研究中心,北京,100080;中國科學(xué)院,研究生院,北京,100039) 

刊 名： 航天器環(huán)境工程  ISTIC 英文刊名： SPACECRAFT ENVIRONMENT ENGINEERING  年，卷(期)： 2008 25(1)  分類號(hào)： V416.5  關(guān)鍵詞： 航天器   深層充電   介質(zhì)材料   聚酰亞胺  

【電子輻照下聚酰亞胺薄膜的深層充電現(xiàn)象研究】相關(guān)文章：

V2O5復(fù)合薄膜材料的電子結(jié)構(gòu)研究04-27

RF濺射ZnO薄膜工藝與結(jié)構(gòu)研究04-26

關(guān)于蠶房墻體覆蓋塑料薄膜的研究04-26

類金剛石薄膜的紫外輻照研究04-27

輻流沉淀池水力攪拌混凝試驗(yàn)研究04-26

不同氧分壓下ZrO2薄膜特性研究04-26

高k柵介質(zhì)薄膜材料研究進(jìn)展04-26

CVD摻硫金剛石薄膜的應(yīng)力研究04-26

風(fēng)俗通義通假現(xiàn)象研究04-28

人類基因研究及其技術(shù)應(yīng)用的深層思考04-27