并行接口鐵電存儲(chǔ)器FM1808及其應(yīng)用

摘要：RAMTRON公司生產(chǎn)的并行接口高性能鐵電存儲(chǔ)器FM1808是NV-SRAM的理想替代產(chǎn)品。文中介紹了FM1808的性能特點(diǎn)、引腳功能和工作原理，同時(shí)重點(diǎn)介紹了鐵電存儲(chǔ)器的應(yīng)用特點(diǎn)及與其它類型存儲(chǔ)器之間的應(yīng)用差別，給出了FM1808的設(shè)計(jì)應(yīng)用要點(diǎn)。

    關(guān)鍵詞：FRAM；并行接口；鐵電存儲(chǔ)器；FM1808

１ 引言

目前，數(shù)據(jù)寫入頻率要求較高且要求掉電不丟失數(shù)據(jù)的應(yīng)用領(lǐng)域，通常采用內(nèi)部具有鋰電池的不揮發(fā)ＮＶ－ＳＲＡＭ作為存儲(chǔ)器件，但該類器件昂貴的價(jià)格又制約了其在價(jià)格敏感領(lǐng)域的應(yīng)用，而如果使用與其兼容的鐵電存儲(chǔ)器ＦＲＡＭ，則可很好地解決成本問題，同時(shí)又可得到更高的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)可靠性。鐵電存儲(chǔ)器是ＲＡＭＴＲＯＮ公司的專利產(chǎn)品，該產(chǎn)品的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這一特殊材料使得鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品同時(shí)擁有隨機(jī)存儲(chǔ)器（ＲＡＭ）和非易失性存儲(chǔ)器（ＲＯＭ）產(chǎn)品的特性。 ＦＭ１８０８是基于鐵電存儲(chǔ)器原理制造的并行接口２５６ｋｂｉｔ鐵電存儲(chǔ)器，該存儲(chǔ)器相比其它類型的存儲(chǔ)器有三大特點(diǎn)：

●幾乎可以像ＲＡＭ那樣無(wú)限次寫入；

●可隨總線速度寫入而無(wú)須任何寫等待時(shí)間；

●超低功耗。

這種鐵電存儲(chǔ)器ＦＲＡＭ克服了以往ＥＥＰＲＯＭ和ＦＬＡＳＨ寫入時(shí)間長(zhǎng)、擦寫次數(shù)少的缺點(diǎn)，其價(jià)格又比相同容量的不揮發(fā)鋰電ＮＶ－ＳＲＡＭ低很多，因而可廣泛應(yīng)用于在系統(tǒng)掉電后需要可靠保存程序及數(shù)據(jù)的應(yīng)用領(lǐng)域，同時(shí)也是價(jià)格昂貴的不揮發(fā)鋰電ＮＶ－ＳＲＡＭ的理想替代產(chǎn)品。

２　性能特點(diǎn)及引腳定義

ＦＭ１８０８的主要特性如下：

●采用先進(jìn)的鐵電技術(shù)制造；

●存儲(chǔ)容量為２５６ｋ ｂｉｔ（即３２ｋ ｂｙｔｅ）；

●讀寫壽命為１００億次；

●掉電數(shù)據(jù)可保存１０年；

●寫數(shù)據(jù)無(wú)延時(shí)；

●存取時(shí)間為７０ｎｓ；

●低功耗，工作電流為２５ｍＡ，待機(jī)電流僅為２０μＡ；

●采用單５Ｖ工作電壓；

●工作溫度范圍為－４０℃～＋８５℃；

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