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友立筆試題目

時(shí)間:2024-06-14 18:58:02 資料大全 我要投稿

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1.一堆雞蛋,3個(gè)3個(gè)數(shù)剩余2個(gè),5個(gè)5個(gè)數(shù)剩余1個(gè),7個(gè)7個(gè)數(shù)剩余3個(gè),問(wèn)這
堆雞蛋 最少有多少個(gè)?并給出通解,

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2.列舉五岳,及其所在省份。
3.何為四書(shū)。
4.按順序默寫(xiě)24節(jié)氣。
5.默寫(xiě)于謙的《吟石灰》。
6.英語(yǔ)翻譯約300字。
7.作文一篇:求職有感。

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普華永道PWC筆試題(作文)
1.最近10年來(lái)中國(guó)媒體的變化。
2.你認(rèn)為發(fā)展汽車(chē)產(chǎn)業(yè)和公共交通哪個(gè)更重要?
3.如何理解風(fēng)險(xiǎn)投資?
4.如何理解廣告的消極作用和積極作用?

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1.名詞解釋:VLSI,CMOS,EDA,VHDL,Verilog,HDL,ROM,RAM,DRC,LVS,

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2.簡(jiǎn)述CMOS工藝流程。
3.畫(huà)出CMOS與非門(mén)的電路,并畫(huà)出波形圖簡(jiǎn)述其功能。
4.畫(huà)出N溝道增強(qiáng)型MOSFET的剖面圖。
5.簡(jiǎn)述ESD和latch-up的含義。
6.簡(jiǎn)述三極管與MOS管的區(qū)別。
7.簡(jiǎn)述MOORE模型和MEALY模型。
8.簡(jiǎn)述堆棧與隊(duì)列的區(qū)別。

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1.畫(huà)出NMOS的特性曲線(指明飽和區(qū),截至區(qū),線性區(qū),擊穿區(qū)和C-V曲線)
2.2.2um工藝下,Kn=3Kp,設(shè)計(jì)一個(gè)反相器,說(shuō)出器件尺寸。
3.說(shuō)出制作N-well的工藝流程。
4.雪崩擊穿和齊納擊穿的機(jī)理和區(qū)別。
5.用CMOS畫(huà)一個(gè)D觸發(fā)器(clk,d,q,q-)。

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